2SD600

更新时间： 2024-01-30 22:16:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	168K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SD600 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	8 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2SD600 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD600

DESCRIPTION

·High Collector Current-I_C= 1.0A

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type 2SB631

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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