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2SD596

更新时间： 2024-02-28 22:23:01

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	85K
描述
Micro package. High dc current gain. hFE:200TYP. (VCE=1V, IC=100mA)

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2SD596 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

2SD596 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

2SD596

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Micro package.

High dc current gain. hFE:200TYP. (V^CE=1V, I^C=100mA)

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Total power dissipation

Junction temperature

700

P^T

200

150

Storage temperature range

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain *

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

100

400

700

0.6

Unit

I^CBO

I^EBO

h^FE

V^CB= 30 V, I^E= 0

V^EB= 5.0 V, I^C= 0

V^CE= 1.0 V, I^C= 100 mA

VCE = 6.0 V, IC = 10 mA

110

600

200

640

0.22

Base to emitter voltage *

Collector saturation voltage *

Output capacitance

VBE

V^CE(sat)IC = 700 mA, IB = 70 mA

C^ob

f^T

V^CB= 6.0 V, I^E= 0, f = 10 MHz

V^CE= 6.0 V, I^E= -10 mA

Gain bandwidth product

170

MHz

* Pulsed: PW

350 ìs, duty cycle

hFE Classification

Marking

Rank

200 320

h^FE

110 180

135 220

170 270

250 400

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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与2SD596相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD596_15	WINNERJOIN	获取价格	NPN TRANSISTOR
2SD596A	NEC	获取价格	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
2SD596-A	NEC	获取价格	700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
2SD596A-DV1	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINI MO
2SD596A-DV2	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINI MO
2SD596ADV2-AT	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-346
2SD596ADV2-E1B	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-346
2SD596ADV2-E1B-AT	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-346
2SD596ADV2-E2B-AT	NEC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,700MA I(C),SOT-346
2SD596A-DV3	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINI MO

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