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2SD525

更新时间： 2024-01-05 03:53:57

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描述
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER(NPN EPITAXIAL)

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2SD525 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-10A1A, SC-46, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
Base Number Matches：	1

2SD525 数据手册

2SD525

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

TO-220

Complement to 2SB595

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation (Tc=25℃)

Junction Temperature

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

P^C

T^j

100

℃

150

-50~150

Tstg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

I^CBO

I^EBO

h^FE1

V^CE(sat)

f^T

V^CB= 100V , I^E=0

V^EB= 5V , I^C=0

V^CE= 5V , I^C=1A

320

2.0

µA

Collector- Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

I^C=4A ,

I^B=0.4A

M^HZ

V^CE= 5V , I^C=0.5A

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

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