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2SD525

更新时间： 2024-01-16 10:29:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD525 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-10A1A, SC-46, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
Base Number Matches：	1

2SD525 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD525

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB595

·High breakdown voltage :V_CEO=100V

·Low collector saturation volage

: V_CE(sat)=2.0V(Max)

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 30W high fidelity

audio frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

100

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_E

Emitter current

-5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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2SD525_2015	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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