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2SD523

更新时间： 2022-12-26 14:38:02

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	194K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD523 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD523

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V(Min.)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min.)@I_C= 3A

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_{CE (sat)}= 1.5V(Max.)@ I_C= 3A

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continunous

Base Current-Continunous

I_B

0.2

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-65~+150

isc Website：www.iscsemi.cn

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