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2SD4031Q

更新时间： 2024-09-24 14:54:15

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功率三极管

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2SD4031Q 数据手册

2SD4031Q-HAF

NPN Silicon Epitaxial Planar Power Transistor

Features

• Low V_CE(sat)

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

1.Base 2.Collector 3.Emitter 4.Collector

SOT-223 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

I_CM

0.8

Power Dissipation

P_tot

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

62.5 ¹⁾

156 ²⁾

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 24/09/2021 Rev: 01

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