2SD330

更新时间： 2024-11-12 06:20:35

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描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD330 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD330

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 50V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0V(Max) @I_C= 2.0A

·Complement to Type 2SB514

APPLICATIONS

·Especially suited for use in output stage of 10W AF power

amplifier.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.75

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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