2SD325

更新时间： 2024-09-23 06:26:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	90K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD325 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD325

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB511

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for use in low frequency

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

1.5

I_CM

Collector current -peak

3.0

T_a=25℃

T_C=25℃

1.75

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-50~150

℃

T_stg

12 3

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