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2SD315E

更新时间： 2024-11-12 20:07:47

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无锡固电 - ISC		/
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3页	156K
描述
Transistor

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2SD315E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD315E 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD315

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Complement to type 2SB509

APPLICATIONS

·For use in audio frequency power

amplifier application

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-40~150

T_stg

12 3

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2SD325C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB
2SD325D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB
2SD325E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-220AB
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