2SD315D

更新时间： 2024-11-12 12:58:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	160K
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2SD315D 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD315

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Complement to type 2SB509

APPLICATIONS

·For use in audio frequency power

amplifier application

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-40~150

T_stg

12 3

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