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2SD313

更新时间： 2024-09-23 12:54:39

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TRANSISTOR (NPN)

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2SD313 数据手册

RoHS

2SD313

2SD313 TRANSISTOR (NPN)

TO-220

1. BASE

FEATURES

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. EMITTER

P_CM:

1.75

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=100µA, I_E=0

Ic=1mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

µA

_CB=60V, I_E=0

_CE=60V, I_E=0

100

I_CEO

Collector cut-off current

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=4V, I_C=0

100

320

h_FE(1)

V_CE=2V, I_C=1A

DC current gain

h_FE(2)

V_CE=2V, I_C=0.1A

V_CE(sat)

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=2A, I_B=200mA

_CE=2V, I_C=1A

1.5

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=5V, I_C=500mA

_CB=10V, I_E=0,f=1MHz

C_ob

Collector output capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Rank

Range

40-80

60-120

100-200

160-320

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD313_10	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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2SD313_15	UTC	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SD313C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
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