2SD313

更新时间： 2024-09-23 06:26:27

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD313 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD313

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB507

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for the output stage of 15W

to 25W AF power amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Base current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

I_B

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-50~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

CHARACTERISTICS

MAX

UNIT

Rθjc

Thermal resistance junction to case

4.16

℃/W

12 3

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