2SD2693A

更新时间： 2024-09-30 04:26:19

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Power Transistors Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SD2693A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2693A 数据手册

Power Transistors

2SD2693A

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

4.6 0.2

For power amplification

9.9 0.3

2.9 0.2

φ 3.2 0.1

■ Features

• Wide safe oeration area

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw.

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

2.54 0.30

5.08 0.50

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

TO-220D-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

Peak collector current ^*

Collector power dissipation

Internal Connection

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : Non-repetitive peak collector current

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open) ^*V_CEO

I_C= 30 mA, I_B= 0

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CB= 80 V, I_E= 0

V_CE= 80 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

100

µA



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

250

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 0.375 A

0.8

MHz

µs

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 10 MHz

0.1

2.3

0.3

I_C= 1 A, Resistance loaded

I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

Publication date: July 2004

SJD00322AED

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