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2SD2440V

更新时间: 2024-01-16 21:50:05
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 176K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-247VAR

2SD2440V 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):450
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:40 W最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5 MHz
最大关闭时间(toff):7000 ns最大开启时间(吨):2000 ns
VCEsat-Max:1.2 VBase Number Matches:1

2SD2440V 数据手册

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