2SD2401

更新时间： 2024-11-15 22:52:47

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三垦 - SANKEN		晶体稳压器晶体管放大器局域网
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1页	27K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio, Series Regulator and General Purpose)

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2SD2401 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MT200, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	55 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2401 数据手册

Equivalent circuit

Darlington 2 S D2 4 0 1

(70Ω)

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1570)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

External Dimensions MT-200

(Ta=25°C)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

2SD2401

Symbol

2SD2401

100max

150min

5000min

2.5max

3.0max

55typ

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

Unit

µA

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

24.4

160

I^CBO

V^CB=160V

±0.2

2.1

±0.1

2-ø3.2

IEBO

150

V^EB=5V

V(BR)CEO

hFE

I^C=30mA

V^CE=4V, IC=7A

I^C=7A, IB=7mA

V^CE=12V, IE=–2A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

150(Tc=25°C)

150

°C

MHz

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

COB

95typ

1.05

Tstg

–55 to +150

+0.3

hFE Rank O(5000 to 12000), P(6500 to 20000), Y(15000 to 30000)

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

3.0

-0.1

±0.1

5.45

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

V^CC

(V)

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(mA)

I^B2

(mA)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

–5

–7

0.5typ

10.0typ

1.1typ

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

IC=10A

IC=7A

0.6mA

IC=5A

I^B=0.4mA

0.2 0.5

50 100 200

2.6

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current IB(mA)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

^j-at Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

40000

70000

50000

125˚C

Typ

10000

5000

25˚C

10000

0.5

5000

–30˚C

1000

600

0.2

1000

0.1

50 100

Time t(ms)

500 1000 2000

0.5

1012

0.5

10 12

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

160

100

120

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

0.05

100

200

–0.02

–0.1

–1

Emitter Current I^E(A)

–10

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

150

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2401_01	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2401_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD2401_2015	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD2401O	ISC	获取价格	暂无描述
2SD2401O	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2401P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2401Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD2402	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Epitaxia
2SD2402	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHIN
2SD2402	TYSEMI	获取价格	High current capacitance. Low collector saturation voltage.

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