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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2391T100/PQ
2SD2391T100/PQ PDF预览

2SD2391T100/PQ

更新时间： 2024-11-25 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 105K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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2SD2391T100/PQ 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.63Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：82JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：210 MHz
VCEsat-Max：0.35 VBase Number Matches：1

2SD2391T100/PQ 数据手册

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Medium Power Transistor (60V, 2A)  
2SD2391  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low saturation voltage , typically  
VCE (sat) =0.13V at IC / IB =1A /50mA.  
2) Collector-emitter voltage =60V  
3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board).  
4) Complements the 2SB1561.  
MPT3  
4.5  
1.6  
1.5  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
60  
V
6
V
2
A
Collector current  
I
C
∗
∗
1
2
6
A
0.5  
Collector power dissipation  
PC  
W
2
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗2 When mounted on a 40+ 40+ 0.7mm ceramic board.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
60  
60  
6
−
−
−
−
−
−
−
−
0.1  
0.1  
0.35  
270  
V
V
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
BVCEO  
BVEBO  
C
V
E
=50μA  
CB=50V  
EB=5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
120  
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
∗
∗
Collector-emitter saturation voltage  
V
0.13  
IC/IB=1A/50mA  
−
hFE1  
hFE2  
fT  
−
V
V
V
V
CE/I  
C
=−2V/−0.5A  
=−2V/−1.5A  
DC current transfer ratio  
−
45  
−
−
−
210  
21  
−
−
−
CE/I  
C
Transition frequency  
Output capacitance  
MHz  
pF  
CE=2V, I  
CB=10V, I  
E
=−0.5A, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
E
∗ Measured using pulse current  
Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2391  
MPT3  
Q
Package  
hFE  
Marking  
Code  
DT  
∗
T100  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
Denotes hFE  
∗
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.A  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2391T100P ROHM

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 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2391T100Q ROHM

获取价格

 		Medium Power Transistor (60V, 2A)
2SD2391T101P ROHM

获取价格

 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2391T101Q ROHM

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