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2SD234

更新时间： 2024-09-13 06:24:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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3页	64K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD234 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD234

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SB434

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

1.5

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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