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2SD2335

更新时间： 2024-01-07 16:29:50

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2335 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SD2335 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2335

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High voltage;high speed

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

600

UNIT

Open base

I_B

Base current

1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

150

T_j

T_stg

-55~150

12 3

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