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2SD2150

更新时间： 2024-10-15 17:01:47

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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4页	241K
描述
20V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

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2SD2150 数据手册

Product Specification

LOW FREQUENCY TRANSISTER（20V，3A）

2SD2150

FEATURES



Low V_CE(sat):V_CE(sat)=0.2V(Typ.)

(I_C/I_B=2A/0.1A).



Excellent current gain characteristics.

Complements the 2SB1424.

Structure

Epitaxial planar type NPN silicon transistor.

SOT-89

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SD2150

Marking

CFQ/ CFR/ CFS

Package Code

SOT-89

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

A(DC)

Collector Current -Continuous

Collector power dissipation

Junction Temperature

A(Pulse)^*1

P_C

T_J

0.5

150

℃

Storage Temperature

T_STG

-55 to +150

*1 Single pulse Pw=10ms

STM0437A

www.gmesemi.com

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