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2SD2150

更新时间： 2024-10-31 14:54:59

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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2页	745K
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双极型晶体管

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2SD2150 数据手册

2SD2150

SOT-89 Transistor(NPN)

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

SOT-89

4.6

4.4

1.6

1.4

1.8

1.4

Features

Excellent current-to-gain characteristics

Low collector saturation voltage V_CE(sat)

V_CE(sat)=0.5V(max) for I_C/I_B=2A/0.1A

2.6

4.25

2.4

3.75

0.8

MIN

0.53

0.40

2x)

0.48

0.35

1.5

0.44

0.37

0.13

3.0

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Dimensions in inches and (millimeters)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

500

150

-55-150

T_J

℃

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=50uA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=50μA, I_C=0

V_CB=30V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

0.1

560

0.5

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_{FE *}

V_CE=2V, I_C=100mA

I_C=2A, I_B=100mA

180

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

_CE=2V,I_C=500mA

Transition frequency

f_T*

290

MHz

f=100MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

*Pulse test: t_p≤300μS, δ≤0.02.

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

180-390

CFR

270-560

Marking

CFS

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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