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2SD2097TV2/Q

更新时间： 2024-09-16 05:56:19

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罗姆 - ROHM		开关晶体管电视
页数	文件大小	规格书
5页	103K
描述
5000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN

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2SD2097TV2/Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	1 V

2SD2097TV2/Q 数据手册

2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097

Transistors

Low VCE(sat) transistor (strobe flash)

2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat).

2SD2098

+0.2

4.5

V^CE(sat)= 0.25V (Typ.)

−0.1

+0.2

−0.1

1.5

1.6 0.1

(I^C/IB = 4A / 0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326.

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

−0.05

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

zStructure

Abbreviated symbol : DJ∗

ROHM : MPT3

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

EIAJ : SC-62

2SD2118

0.2

2.3

6.5 0.2

−

0.1

C0.5

+0.2

5.1

0.5 0.1

−0.1

0.65 0.1

0.75

0.9

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

2SD2097

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

∗ Denotes hFE

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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2SD2097TV2/R	ROHM	获取价格	5000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SD2097TV2/RS	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD2097TV2/S	ROHM	获取价格	5000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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