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2SD2083

更新时间： 2024-11-06 07:31:39

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描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD2083 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SD2083 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD2083

DESCRIPTION

·High DC Current Gain

: h_FE= 2000(Min.)@ I_C= 12A, V_CE= 4V

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·Complement to Type 2SB1383

APPLICATIONS

·Designed for driver of solenoid, motor and general

purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current- Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

120

150

-55~150

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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