5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD2082_01
2SD2082_01 PDF预览

2SD2082_01

更新时间： 2024-09-16 07:31:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2082_01 数据手册

  
C
E
Equivalent  
circuit  
B
Darlington 2 S D2 0 8 2  
(2kΩ)(100Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1382)  
Application : Driver for Solenoid, Motor and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
ICBO  
Ratings  
10max  
10max  
120min  
2000min  
1.5max  
2.5max  
20typ  
Conditions  
Unit  
µA  
mA  
V
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCB=120V  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
IEBO  
VEB=6V  
120  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
6
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=8A  
IC=8A, IB=16mA  
IC=8A, IB=16mA  
VCE=12V, IE=–1A  
VCB=10V, f=1MHz  
16(Pulse26)  
1
A
a
b
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
A
PC  
75(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
1.75  
2.15  
Tj  
0.8  
COB  
210typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
1.5  
4.4  
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
B
C
E
40  
5
8
10  
–5  
16  
–16  
0.6typ  
7.0typ  
1.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
26  
20  
3
16  
12  
8
2
IC=16A  
10  
8A  
1
4A  
4
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0.2 0.5  
1
5
10  
50 100 200  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
30000  
20000  
10000  
5000  
Typ  
10000  
5000  
1
1000  
500  
0.5  
1000  
500  
100  
0.2  
0.5  
1
5
10  
16  
1000 .02  
0.5  
1
10  
16  
0.1  
1
10  
100  
1000  
5
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
80  
30  
20  
50  
Typ  
10  
5
60  
40  
1
0.5  
10  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0.1  
Without Heatsink  
0.05  
0.03  
3.5  
0
0
–0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–10 –16  
–5  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
146  
1

中文翻译

下载PDF

与2SD2082_01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2082_15 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2082_2015 JMNIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2083 ISC

获取价格

 		isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD2083 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Motor and General Purpo
2SD2083_01 SANKEN

获取价格

 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD2088 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor)
2SD2088_03 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor)
2SD2088_09 TOSHIBA

获取价格

 		Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
2SD2088TPE6 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 2000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SD2089 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors

与2SD2082_01相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证