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2SD2081

更新时间： 2024-11-05 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管开关电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Motor and General Purpose)

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2SD2081 数据手册

  
C
E
Equivalent  
circuit  
B
Darlington 2 S D2 0 8 1  
(2kΩ)(200Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1259)  
Application : Driver for Solenoid, Motor and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB=120V  
Unit  
µA  
mA  
V
2SD2081  
2SD2081  
10max  
10max  
120min  
2000min  
1.5max  
2.0max  
60typ  
Symbol  
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
V
IEBO  
VEB=6V  
120  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
6
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=5mA  
IC=5A, IB=5mA  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
10(Pulse15)  
1
A
V
V
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
Tj  
±0.15  
1.35  
COB  
95typ  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
C E  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
15  
10  
5
10  
3
8
6
4
2
0
2
IC=10A  
5A  
1
1A  
IB=0.5mA  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0.2 0.5  
1
5
10  
50 100 200  
0
1
2
3
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
20000  
20000  
10000  
5000  
10000  
5000  
Typ  
1000  
500  
1000  
500  
1
0.5  
100  
100  
50  
30  
50  
30  
0.2  
1
10  
100  
1000  
0.03  
0.1  
0.5  
1
5
10  
0.03  
0.1  
0.5  
1
5
10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
120  
100  
30  
Typ  
10  
5
80  
60  
1
0.5  
40  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0.05  
–0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–10  
–5  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
144  
1

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2SD2081 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2081 ALLEGRO

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJE18002 MOTOROLA

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