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2SD2060F

更新时间： 2024-09-14 14:53:43

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功率三极管

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2SD2060F 数据手册

2SD2060F-HAF

NPN Silicon Epitaxial Planar Power Transistor

Features

• Good Linearity of h_FE

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

TO-220F Plastic Package

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Base Current

I_B

0.4

P_D

Power Dissipation (T_c= 25

Junction Temperature

)

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance - Junction to Case

1 / 5

Dated: 30/03/2023 Rev: 01

12 3 4 5

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