Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1992A-SZ

2SD1992A-SZ

更新时间： 2024-11-27 13:00:43

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1992A-SZ 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1992A-SZ 数据手册

Transistors

2SD1992A

Silicon NPN epitaxial planer type

Unit: mm

6.9 0.1

4.0

2.5 0.1

1.05

0.05

For general amplification

(1.45)

0.8

0.7

Complementary to 2SB1321A

I Features

0.65 max.

• Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Allowing supply with the radial taping

0.45⁺−⁰0.^.0¹5

2.5 0.5 2.5 0.5

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

Note) In addition to the

lead type shown in

the upper figure,

the type as shown

in the lower figure

is also available.

1: Emitter

2: Collector

3: Base

MT1 Type Package

500

I_C

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

600

T_j

150

1.2 0.1

T_stg

−55 to +150

0.65

max.

0.1

0.45_−0.05

(HW Type)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= 20 V, I_E= 0

I_CEO

V_CE= 20 V, I_B= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE1

h_FE2

V_CE= 10 V, I_C= 10 mA

V_CE= 10 V, I_C= 500 mA

I_C= 300 mA, I_B= 30 mA

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

340

0.6

0.35

200

Collector to emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)

f_T

MHz

Transition frequency

Collector output capacitance

C_ob

Note) 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

No-rank

h_FE1

85 to 170

120 to 240

170 to 340

85 to 340

Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1992Q	PANASONIC	获取价格	Transistor
2SD1992S	PANASONIC	获取价格	Transistor
2SD1993	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)
2SD1993-HW	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1993R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1993S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1993-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1993T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SD1994A	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification and driver amplifi
2SD1994A	SECOS	获取价格	NPN General Purpose Transistor

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