5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1961/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SD1961/QS | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SD1961/RS | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SD1961/S | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SD1961Q | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD1961S | ROHM |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SD1961T103 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SD1961T103/Q | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SD1961T103/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
| 2SD1961T103/QS | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/E |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
