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2SD1898

更新时间： 2023-12-06 19:59:58

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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3页	872K
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双极型晶体管

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2SD1898 数据手册

2SD1898

Power Transistor(80V,1A)

SOT-89

+0.1

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

4.50

1.80

+0.1

-0.1

Features

High V_CEO,V_CEO=80V.

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

0.53

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

High I_C,I_C=1A(DC)_.

Good H_FELinearity.

Low V_CE(sat).

1. Base

+0.1

-0.1

3.00

2. Collector

3. Emiitter

Complement the 2SB1260.

Applications

Dimensions in inches and (millimeters)

NPN silicon transistor.

Ordering Information

Type No.

2SD1898

Marking

Package Code

SOT-89

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

120

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Current -pulse

Collector Dissipation

I_C

P_C

500

℃

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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