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2SD1898

更新时间： 2024-02-29 05:28:18

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High VCEO, VCEO=80V High IC, IC=1A (DC) Good hFE linearity Low VCE (sat)

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2SD1898 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SD1898 数据手册

SMD Type

Product specification

2SD1898

Features

High V^CEO, V^CEO=80V .

High I^C, I^C=1A (DC) .

Good h^FElinearity .

Low V^{CE (sat)}.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

Rating

Unit

120

V^CEO

V^EBO

I^C

Collector current

I^C(Pulse) *¹

P^C

0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T^j

T^stg

150

-55 to +150

*1. Pw=20ms.

*2. 40X40X0.7mm Ceramic board.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

120

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

BVCBO IC=50ìA

BV^CEOI^C=1mA

BV^EBOI^E=50ìA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

I^CBO

I^EBO

h^FE

VCB=100V

V^EB=4V

V^CE=3V,I^C=0.5A

ìA

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

390

0.4

V^CE(sat)I^C=500mA,I^B=20mA

0.15

100

f^T

VCE=10V, IE= -50mA, f=100MHz

V^CB=10V, I^E=0A, f=1MHz

MHz

Output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

82 180

120 270

180 390

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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