2SD1880

更新时间： 2024-01-05 09:03:18

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	172K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1880 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PML
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	70 W	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	5 V
Base Number Matches：	1

2SD1880 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1880

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High speed

·High breakdown voltage

·High reliability

·Built in damper diode

APPLICATIONS

·Color TV horizontal deflection output

·Color display horizontal deflection output.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

1500

800

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

下载PDF

与2SD1880相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1881	SANYO	Color TV Horizontal Deflection Output Applications	获取价格
2SD1881	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1881	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1882	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1882	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1882	SANYO	Color TV Horizontal Deflection Output Applications	获取价格