2SD1833E

更新时间： 2024-09-26 13:01:19

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2SD1833E 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1833

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 1.0V(Max.)@ I_C= 4A

·High Collector Power Dissipation

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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