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2SD1815

更新时间： 2024-11-17 14:53:07

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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4页	1313K
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TO-251

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2SD1815 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

2SD1815 TRANSISTOR (NPN)

TO-251-3L

FEATURES

1. BASE

Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Excllent Linearity of h_FE

High f_T

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Fast Switching Time

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

D1815ꢀ'ꢁ#ꢂ"ꢁꢃ"ꢄꢅꢁꢃ

D1815

ꢆꢄꢇꢂꢅꢃꢅꢄꢈꢀꢉꢊꢁꢁ ꢃ!ꢄꢇꢅꢂ ꢃ"ꢄ!ꢋꢄꢌ ꢅꢃꢅꢁ#ꢂ"ꢁ$ꢃ ꢃ

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XXXX

XXXX=Code

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise note)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

120

100

Unit

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

P_C

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55 to +150

℃

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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2SD1815I	BL Galaxy Electrical	获取价格	100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
2SD1815Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-252
2SD1815-Q	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SD1815-Q	SECOS	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
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