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2SD1815

更新时间： 2024-01-19 12:34:07

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2页	148K
描述
Low collector-to-emitter saturation voltage. Excllent linearity of hFE.

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2SD1815 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1815 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

2SD1815

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

Features

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Low collector-to-emitter saturation voltage.

Excllent linearity of h^FE.

High fT.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

Fast switching time.

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

120

100

Collector current (pulse)

Collector dissipation

I^CP

P^C

Jumction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

-55 to +150

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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