2SD1772

更新时间： 2024-01-25 02:27:46

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	149K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1772 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1772 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1772 2SD1772A

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·Complement to type 2SB1192/1192A

·Large collector power dissipation

APPLICATIONS

·For power amplification

·For TV vertical deflection output

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Ta=25℃

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

200

2SD1772

150

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

2SD1772A

180

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-peak

Open collector

I_CM

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

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