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2SD1769

更新时间： 2024-01-29 08:37:19
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器继电器晶体管开关电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose)

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2SD1769 数据手册

  
C
E
Equivalent  
circuit  
B
Darlington 2 S D1 7 6 9  
(2.5kΩ)(200Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor  
Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■
Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-25(TO220)  
Symbol  
2SD1769  
Conditions  
2SD1769  
10max  
20max  
120min  
2000min  
1.5max  
2.0max  
100typ  
typ  
Unit  
µA  
mA  
V
Symbol  
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.2  
10.2  
±0.1  
2.0  
ICBO  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
VCB=120V  
V
IEBO  
120  
VEB=6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
6
V
±0.2  
ø3.75  
a
VCE=2V, IC=3A  
IC=3A, IB=3mA  
IC=3A, IB=3mA  
VCE=12V, IE=–0.2A  
VCB=10V, f=1MHz  
6(Pulse10)  
1
A
b
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
IB  
A
1.35  
PC  
50(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
MHz  
pF  
Tj  
+0.2  
0.65  
-0.1  
COB  
Tstg  
–55 to +150  
2.5  
2.5  
1.4  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C E  
Weight : Approx 2.6g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
30  
10  
3
10  
–1.5  
3
–3  
0.5typ  
5.5typ  
1.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=2V)  
8
6
4
2
0
3
8
6
4
2
0
2
4A  
1
0
0
2
4
6
0.3  
1
5
10  
50 100  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=2V)  
(VCE=2V)  
10  
5
10000  
10000  
Typ  
5000  
5000  
1000  
500  
1000  
500  
1
0.5  
100  
50  
30  
80  
0.03  
0.2  
1
5
10  
50 100  
1000  
5000  
0.5  
Collector Current IC(A)  
0.1  
1
5
10  
0.03 0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
–
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
20  
10  
5
50  
120  
100  
Typ  
40  
30  
20  
10  
1
50  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
2
0
0
0.08  
3
5
10  
50  
100  
200  
–0.05  
–0.5  
–1  
–5 –8  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
136  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1770 ISC

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 		Silicon NPN Power Transistor
2SD1770A ETC

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 		2SD1771. 2SD1771A - NPN Transistor
2SD1771A PANASONIC

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 		Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1771AH PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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