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2SD1768S/QR

更新时间: 2024-11-05 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SD1768S/QR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.71
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SD1768S/QR 数据手册

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Power Transistor (80V, 1A)  
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High VCEO, VCEO=80V  
2) High IC, IC=1A (DC)  
3) Good hFE linearity  
4) Low VCE (sat)  
2SD1898  
+0.2  
0.1  
4.5  
±0.1  
1.5  
1.6±0.1  
5) Complements the 2SB1260 /  
2SB1241 / 2SB1181  
(1) (2) (3)  
+0.1  
0.4  
0.05  
0.5±0.1  
3.0±0.2  
0.4±0.1  
1.5±0.1  
0.4±0.1  
1.5±0.1  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
Structure  
Epitaxial planer type  
NPN silicon transistor  
Abbreviated symbol : DF  
2SD1768S  
4±0.2  
2SD1733  
2±0.2  
+
0.2  
2.3  
6.5  
±
0.2  
0.1  
C0.5  
+
0.2  
5.1  
0.1  
0.5±  
0.1  
+0.15  
0.05  
0.45  
0.65±0.1  
0.75  
0.9  
0.2 2.3±  
+0.15  
+0.4  
0.55  
±0.1  
0.45  
2.5  
0.5  
0.05  
0.1  
2.3±  
0.2  
5
1.0±0.2  
(1) (2) (3)  
(1) (2) (3)  
Taping specifications  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
2SD1863  
2.5±0.2  
6.8±0.2  
0.65Max.  
0.5±0.1  
(1) (2)  
(3)  
2.54  
2.54  
1.05  
0.45±0.1  
Taping specifications  
ROHM : ATV  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
www.rohm.com  
2011.05 - Rev.D  
1/3  
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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