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2SD1725S

更新时间: 2024-02-20 23:50:19
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页数 文件大小 规格书
3页 130K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126

2SD1725S 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SIP
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.38
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):20 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
Base Number Matches:1

2SD1725S 数据手册

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