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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.34 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1724Q | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SD1724-Q | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SD1724R | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SD1724S | ONSEMI |
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3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126LP, 3 PIN |
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| 2SD1724-S | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SD1724T | ONSEMI |
获取价格 |
3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126LP, 3 PIN |
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| 2SD1724-T | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SD1725 | SANYO |
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100V/4A Switching Applications |
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| 2SD1725Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1725R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
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