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2SD1717S

更新时间： 2024-11-23 19:53:51

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无锡固电 - ISC		/
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3页	82K
描述
Transistor

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2SD1717S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1717S 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1717

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SB1162

·Excellent linearity of h_FE

·Wide area of safe operation (ASO)

·High transition frequency f_T

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

160

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

3.5

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

120

150

-55~150

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

12 3

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2SD1719	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type
2SD1719	TYSEMI	获取价格	High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity
2SD1719P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-221VAR
2SD1719Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-221VAR