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2SD1717Q

更新时间： 2024-11-19 19:53:51

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无锡固电 - ISC		/
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3页	82K
描述
Transistor

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2SD1717Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1717Q 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1717

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SB1162

·Excellent linearity of h_FE

·Wide area of safe operation (ASO)

·High transition frequency f_T

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

160

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

3.5

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

120

150

-55~150

T_j

Junction temperature

Storage temperature

℃

T_stg

12 3

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2SD1718Q	ISC	获取价格	Transistor
2SD1718S	ISC	获取价格	Transistor
2SD1719	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1719	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type
2SD1719	TYSEMI	获取价格	High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity
2SD1719P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-221VAR