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2SD1664P-TP

更新时间： 2024-02-08 08:59:53
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 727K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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2SD1664P-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：82JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD1664P-TP 数据手册

 浏览型号2SD1664P-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
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20736 Marilla Street Chatsworth  
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2SD1664  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
Complements to 2SB1132  
NPN Epitaxial  
Planar Silicon  
Low collector-to-emitter saturation voltage.  
Fast switching speed.  
·
·
·
•
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
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Transistors  
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Maximum Ratings  
ꢀ
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SOT-89  
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Symbol  
VCEO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
32  
40  
Unit  
V
V
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
VCBO  
VEBO  
ꢀ
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5.0  
V
A
ꢀ
K
ꢀ
B
IC  
Collector Current  
1.0  
A
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PC  
TJ  
TSTG  
Collector dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
OC  
ꢀ
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OC  
ꢀ
E
ꢀ
C
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
ꢀ
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D
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
ꢀ
ꢀ
G
H
ꢀ
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
J
ꢀ
F
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
40  
32  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
(I =1.0mAdc)  
C
ꢀ
ꢀ
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
(I =50uAdc, IC=0)  
E
1
2
3
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
0.5  
0.5  
uAdc  
mAdc  
1. Base  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
ꢀ
2. Collector  
ON CHARACTERISTICS  
3. Emitter  
ꢀ
hFE-1  
DC Current Gain  
(I =100mAdc, VCE=3.0Vdc)  
C
82  
---  
390  
---  
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1.55  
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ꢉꢆ  
ꢖ
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VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.4  
Vdc  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
(I =0.5Adc, I =50mAdc)  
C
B
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ꢆ
ꢆ
fT  
Gain-Bandwidth product  
(VCE=5V, IC=50mA, f=100MHz )  
Out Capacitance  
---  
---  
150  
---  
---  
MHz  
pF  
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ꢆ
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ꢆ
Cob  
15  
(VCB=10V, f=1.0MHz,IE=0)  
 ꢆ  
hFE[1] CLASSIFICATION  
Rank  
P
Q
R
Range  
82-180  
DAP  
120-270  
DAQ  
180-390  
Marking  
DAR  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/10/27  
12

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