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2SD1616L(SOT-89)

更新时间: 2023-04-15 00:00:00
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描述
Transistor

2SD1616L(SOT-89) 数据手册

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UTC 2SD1616/A  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
NPN EPITAXIAL SILICON  
TRANSISTOR  
DESCRIPTION  
*Audio frequency power amplifier  
*Medium speed switching  
1
SOT-89  
1: EMITTER 2: COLLECTOR 3: BASE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
Storage Temperature  
SYMBOL  
Tstg  
VALUE  
-55 ~+150  
UNIT  
°C  
Junction Temperature  
Tj  
Pc  
VCBO  
150  
750  
60  
120  
50  
60  
6
°C  
mW  
V
Total Power Dissipation (Ta=25°C)  
Collector to Base Voltage: D1616  
D1616A  
Collector to Emitter Voltage: D1616  
D1616A  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (*Pulse)  
VCEO  
V
VEBO  
Ic  
Ic  
V
A
A
1
2
Note: (*) Pulse width10ms, Duty cycle<50%  
CHARACTERISTICS (Ta=25°C)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
TEST CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
VCB=60V  
VEB= 6V  
100  
100  
0.3  
nA  
nA  
V
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT)  
IC=1A, IB=50mA  
IC=1A, IB=50mA  
VCE=2V, IC=50mA  
VCE=2V, IC=100mA  
0.15  
0.9  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
DC Current Gain: D1616  
D1616A  
VBE(SAT)  
VBE(ON)  
hFE1  
1.2  
V
600  
135  
135  
81  
640  
700  
600  
400  
mV  
hFE2  
fT  
Cob  
VCE=2V, IC=1A  
VCE=2V, IC=100mA  
VCB=10V, f=1MHz  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
100  
160  
MHz  
pF  
19  
1
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.  
QW-R208-015,A  

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