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2SD1616K-G

更新时间: 2023-01-03 10:48:13
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描述
Transistor

2SD1616K-G 数据手册

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2SD1616  
2SD1616A  
NPN Transistors  
* “G” Lead(Pb)-Free  
TO-92  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(Ta=25 C)  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
2SD16116  
2SD1616A  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
50  
60  
60  
120  
CEO  
V
CBO  
V
6.0  
1.0  
EBO  
I
C
P
0.75  
150  
Total Device Dissipation T =25 C  
W
C
A
D
Junction Temperature  
Storage,Temperature  
T
j
-55 to +150  
Tstg  
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
50  
60  
2SD1616  
2SD1616A  
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 2.0 mAdc, I =0)  
V
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
2SD1616  
2SD1616A  
-
-
60  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)  
V
V
C
E
(BR)CBO  
120  
Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)  
(BR)EBO  
6.0  
E
C
-
-
I
uAdc  
uAdc  
0.1  
0.1  
Collector Cutoff Current (V =60 Vdc, I =0)  
CBO  
CB  
E
I
d
Emitter Cutoff Current (V = 6.0 V c, I =0)  
EBO  
EB  
C
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1616L RENESAS

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1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43B, 3 PIN
2SD1616L(SOT-89) UTC

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Transistor
2SD1616-L-AB3-B UTC

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2SD1616-L-AB3-K UTC

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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SD1616-L-AB3-R UTC

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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SD1616-L-AB3-T UTC

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2SD1616-L-G03-B UTC

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