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2SD1547

更新时间： 2024-01-21 19:14:39

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描述
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)

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2SD1547 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1547 数据手册

NPN TRIPLE DIFFUSED

2SD1547

PLANAR SILICON TRANSISTOR

COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT

APPLICATIONS(NO Damper Diode)

High Collector-Base Voltage(V^CBO=1500V)

High Speed Switching

2-16E3A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation (Tc=25℃)

Junction Temperature

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

P^C

T^j

1500

800

℃

150

-50~150

Storage Temperature

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Collector- Emitter Cutoff Current(V^BE=0)

Collector Cutoff Current

I^CES

I^CBO

V^CE= 1400 V ,R^BE=0

V^CB= 800 V , I^E=0

1.0

µA

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

I^EBO

h^FE

V^CE(sat)

V^EB= 4V ,

V^CE= 5V ,

I^C=6A ,

I^C=0

I^C=1A

I^B=1.2A

1.0

5.0

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