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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1520(S)TL | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SD1520(S)TR | HITACHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1520/S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-252AA |
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| 2SD1520L | HITACHI |
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MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER |
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| 2SD1520S | HITACHI |
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MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER |
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| 2SD1521 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1525 | TOSHIBA |
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NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SD1525 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD1525(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,30A I(C),TO-264AA |
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| 2SD1525_09 | TOSHIBA |
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High Current Switching Applications |
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