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2SD1518

更新时间： 2024-11-28 06:16:03

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	224K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1518 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1518

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 400V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

VALUE

UNIT

900

400

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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与2SD1518相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1519	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-247VAR
2SD1520	HITACHI	获取价格	MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER
2SD1520(L)	RENESAS	获取价格	POWER TRANSISTOR
2SD1520(S)	HITACHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), NPN, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
2SD1520(S)	RENESAS	获取价格	POWER TRANSISTOR, DPAK-3
2SD1520(S)TL	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SD1520(S)TR	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1520/S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-252AA
2SD1520L	HITACHI	获取价格	MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER
2SD1520S	HITACHI	获取价格	MEDIUM SPEED POWER AMPLIFIER