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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1508 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (PULSE MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO |
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| 2SD1508_09 | TOSHIBA |
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Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications |
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| 2SD1509 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIO |
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| 2SD1509_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Micro-Motor Drive, Hammer Drive Applications |
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| 2SD1510 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD1510P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD1510Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD1510R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD1511 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planer type darlington(For low-frequency output amplification) |
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| 2SD1511G | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP |
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