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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1506N | ISC |
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Transistor |
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| 2SD1506P | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SD1506R | ISC |
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Transistor |
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| 2SD1507M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
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| 2SD1507M/N | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1507M/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1507M/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1507M/PR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1507M/QR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1507M/R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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