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2SD1493

更新时间： 2024-11-27 05:57:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	214K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD1493 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1493

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for TV horizontal deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

2.5

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C= 25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-45~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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