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2SD1426

更新时间： 2024-01-04 07:14:49

品牌	Logo	应用领域
永盛 - Wing Shing		晶体晶体管电视输出元件输出应用局域网
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)

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2SD1426 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-609代码：	e0
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	34 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SD1426 数据手册

NPN TRIPLE DIFFUSED

2SD1426

`

PLANAR SILICON TRANSISTOR

COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT

APPLICATIONS(Damper Diode BUILT IN)

!

!

High Collector-Base Voltage(V^CBO=1500V)

High Speed Switching

2-16D3A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25^oC)

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

1500

1500

6

V

V

V

A

Collector Current (DC)

3.5

o

Collector Dissipation (Tc=25 C)

Junction Temperature

Storage Temperature

P^C

T^j

Tstg

50

150

-50~150

W

^oC

^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25^oC)

Characterristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Collector- Emitter Cutoff Current(V^BE=0)

Collector Cutoff Current

I^CES

I^CBO

V^CE= 1400 V ,

R^BE=0

1.0

10

mA

µA

Emitter Cutoff Current

I^EBO

V^CB= 800 V , I^E=0

1.0

mA

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

h^FE

V^CE(sat)

V^EB= 4V ,

V^CE= 5V ,

I^C=1A

I^C=0

8

8.0

V

I^C=3A ,

I^B=0.8A

Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.

Homepage: http://www.wingshing.com

Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153

E-mail: wsccltd@hkstar.com

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1426F	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 600V V(BR)CEO \| 3.5A I(C) \| SOT-186VAR	获取价格
2SD1427	MOSPEC	HORIZONTAL DEFLECTION POWER TRANSISTOR	获取价格
2SD1427	Wing Shing	Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION)	获取价格
2SD1427	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1427	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2SD1428	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格

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